RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2512
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link