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PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
37
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2512
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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