RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2974
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link