RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2974
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link