PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Note globale
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 52
    Autour de 48% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.8 left arrow 10.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17500 left arrow 10600
    Autour de 1.65 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 52
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 10.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17500
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 2319
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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