RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2569
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link