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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1970
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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