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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2103
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
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