RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2103
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link