RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3343
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link