RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3343
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link