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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
2947
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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