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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
16.0
写入速度,GB/s
10.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2947
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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