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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,069.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
106
Autour de -308% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
2382
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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