RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,069.2
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
106
Около -308% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
106
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,273.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,069.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
734
2382
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Сравнения RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link