Comparaison de la RAM Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Note globale

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 26

Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.6 13.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.1 7.8

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1932 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns