RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
2852
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link