RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
2852
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link