RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3174
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link