RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3174
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link