RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
66
Autour de 62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
66
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2038
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link