RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
66
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2038
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link