RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2920
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link