Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 34

Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 13.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.0 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 34
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 13.8
Скорость записи, Гб/сек

10.1 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2920

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston HX424C15PB/4 4GB

Kingston HX424C15PB/4 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM