RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
21
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3437
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link