RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3437
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link