RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2370
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link