RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3942
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link