RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3942
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link