RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
20
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.7
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
25
読み出し速度、GB/s
16.1
20.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
17.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3942
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link