RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3039
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link