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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 19% 低遅延
考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
31
読み出し速度、GB/s
16.1
16.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3039
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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