RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3039
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link