RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2443
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link