Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Note globale
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Note globale
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.1 left arrow 14.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.7 left arrow 10.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 12800
    Autour de 1.5 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.1 left arrow 14.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.1 left arrow 10.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2764 left arrow 2620
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons