Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Pontuação geral
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.1 left arrow 14.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.7 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.1 left arrow 14.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 10.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2764 left arrow 2620
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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