Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Wynik ogólny

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16.1 14.5

Średnia wartość w badaniach

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

10.7 10.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

25 25
Prędkość odczytu, GB/s

16.1 14.5
Prędkość zapisu, GB/s

10.1 10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 19200

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2764 2620

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB

Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB