RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2763
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link