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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
76
Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
76
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2271
1624
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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