Confronto tra le RAM Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Punteggio complessivo

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

32 76

Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.6 6.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2271 1624

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns