Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    37 left arrow 43
    Autour de -16% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.9 left arrow 14.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.8 left arrow 9.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 12800
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    43 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.9 left arrow 16.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.6 left arrow 13.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2506 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons