RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3170
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link