Comparação RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Pontuação geral

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

37 43

Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.9 14.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.8 9.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2506 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns