RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
43
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3684
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link