RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3660
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link