Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.9 left arrow 13.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 43
    Autour de -48% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.0 left arrow 9.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    43 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.9 left arrow 13.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.6 left arrow 11.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2506 left arrow 2690
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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