RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3379
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link