RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
59
Intorno -84% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
32
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3379
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link