RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
59
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
40
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3011
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link