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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
59
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
40
读取速度,GB/s
4,833.8
13.6
写入速度,GB/s
2,123.3
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3011
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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