RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3343
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link